BSP149L6327

BSP149 E6327
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BSP149 E6327參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
標(biāo)準包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：耗盡模式
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：660mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@660mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@400µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：430pF@25V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4